PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF가 최근 3년 간 누적 수익률이 670%를 넘으며 반도체 관련 ETF 중 가장 높은 성과를 올렸다는 소식이다. 한화자산운용은 이 ETF가 HBM, D램, 낸드 메모리 및 메모리 장비 등 글로벌 메모리 반도체 밸류체인 전반에 분산 투자하는 전략이 크게 효과를 보고 있다고 21일 발표했다.
Fn스펙트럼에 따르면, 20일 기준으로 반도체 투자 ETF 가운데 최근 3년 누적 수익률이 500% 이상인 상품은 3개로 집계되며, 그 중 PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF가 676.67%로 가장 높은 수익률을 기록했다. 이는 시장에서의 강세 주가 흐름에 힘입은 바가 크다. 최근 3개월 기준으로 SK하이닉스는 92.9%, 삼성전자 54%, 마이크론 71%, 샌디스크는 114.2%의 상승률을 보였다. 최근 1년 기준으로는 특히 샌디스크의 상승률이 3365.8%에 달하며 주목을 받았다.
이 ETF의 포트폴리오에는 글로벌 메모리 3사인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 약 75~80%를 차지하고 있다. 5월 정기 리밸런싱에서 샌디스크가 신규 편입되면서 낸드 메모리에 대한 노출이 높아졌으며, 테라다인과 테크윙 등의 메모리 테스트 및 후공정 장비주도 함께 포함되었다. 이는 메모리 설비 투자 확대의 수혜를 볼 수 있도록 설계된 것이다.
특히 삼성전자와 SK하이닉스는 높은 수익성을 위해 HBM과 D램에 우선 자원을 배분하고 있으며, 이로 인해 낸드 웨이퍼 투입량이 축소되고 있다. 그런 상황 속에서 샌디스크와 같은 전문 업체는 가격 상승과 시장 점유율 확대에 따른 혜택을 볼 가능성이 높아지고 있다. 샌디스크의 CEO 데이비드 게클러는 최근 콘퍼런스콜에서 데이터센터 부문 낸드 시장 성장률을 60%로 수정했다고 전하면서 수요 증가의 수준을 가늠하기 어려운 상황임을 시사했다.
금정섭 한화자산운용 ETF사업본부장은 “AI 인프라 투자가 GPU 중심에서 HBM, 서버 D램, 데이터센터 낸드로 확산되고 있다”며 “PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF는 HBM과 D램 중심에서 낸드 및 메모리 장비로 투자 범위를 넓혀 AI가 견인하는 메모리 슈퍼사이클의 모든 단계에 투자할 수 있도록 설계됐다”고 설명했다.
이번 성과는 반도체 업계의 트렌드와 맞물려 글로벌 메모리 시장에서의 변동성과 기회에 대한 통찰력을 제공하며, 투자자들에게 주목받는 시점이다.
